近日，在湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對(duì)接會(huì)暨中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第三屆學(xué)術(shù)論壇現(xiàn)場(chǎng)，時(shí)代電氣董事長(zhǎng)、新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室首席科學(xué)家丁榮軍院士正式向英國(guó)皇家工程院院士Florin Udrea發(fā)下聘書(shū)。這意味著 ，依托于時(shí)代電氣建設(shè)的國(guó)家級(jí)科技創(chuàng)新平臺(tái)“新型功率半導(dǎo)體國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室”， 再添一國(guó)際權(quán)威。

Florin Udrea博士是英國(guó)劍橋大學(xué)教授、英國(guó)皇家工程院院士，也是高壓微電子及傳感器實(shí)驗(yàn)室?guī)ь^人。他專(zhuān)精于功率半導(dǎo)體器件及固態(tài)傳感器研究，在功率半導(dǎo)體器件及傳感器方向擁有專(zhuān)利100余項(xiàng)，分別在集成電路、智能傳感器、功率器件、高壓氮化鎵和流體及傳感器等5個(gè)領(lǐng)域創(chuàng)建了5家公司，是行業(yè)內(nèi)名副其實(shí)的國(guó)際頂尖技術(shù)“大咖”。受聘后，F(xiàn)lorin Udrea將成為新型功率半導(dǎo)體國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員。學(xué)術(shù)委員會(huì)作為國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的學(xué)術(shù)指導(dǎo)組織，職責(zé)是審議企業(yè)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的目標(biāo)、研究方向、重大學(xué)術(shù)活動(dòng)、年度工作計(jì)劃和總結(jié)等。實(shí)驗(yàn)室目前已擁有劉友梅、馬偉明、李立浧、丁榮軍、郝躍、羅安等6位中國(guó)工程院院士坐鎮(zhèn)指導(dǎo)。

2015年，國(guó)家科技部批準(zhǔn)建設(shè)新型功率半導(dǎo)體國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，以國(guó)家重大需求為導(dǎo)向，基于新型功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展及其應(yīng)用需求，開(kāi)展器件基礎(chǔ)理論、前沿共性關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用可靠性研究，支撐我國(guó)IGBT、SiC等新型功率半導(dǎo)體器件技術(shù)的原始創(chuàng)新，搶占技術(shù)制高點(diǎn)；開(kāi)展持續(xù)深入的系統(tǒng)性研究，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研合作，推動(dòng)先進(jìn)和前沿技術(shù)的轉(zhuǎn)化，在功率半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)進(jìn)步中發(fā)揮引領(lǐng)、示范和輻射帶動(dòng)作用。新型功率半導(dǎo)體器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的主要任務(wù)是開(kāi)展SiC和新一代IGBT及超大容量雙極芯片及其封裝、組件關(guān)鍵技術(shù)研究，解決芯片、封裝與應(yīng)用組件協(xié)同優(yōu)化難題；促進(jìn)國(guó)內(nèi)外技術(shù)交流與合作，完善行業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)；加強(qiáng)成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)和學(xué)術(shù)團(tuán)隊(duì)，建設(shè)形成國(guó)內(nèi)新型半導(dǎo)體器件人才聚集基地。